Прошли испытания скоростного графенового транзистора

Работающий на радиочастотах транзистор может найти применение в области беспроводной связи, радарах, медицинской технике

Стало известно, что компания IBM создала новый прибор, обладающий рекордно высоким быстродействием для транзисторов на базе графена, а также расширенным диапазоном рабочих температур.

Благодаря тому, что заряды в графене довольно быстро двигаются, он заслужил большую репутацию, как перспективный материал для электроники. Однако, если графеновый лист размещать на диэлектрической подложке, например диоксиде углерода, то в таком случае, подкладка влияет на поведение листа углерода, и как следствие, создает эффект рассеивания носителей заряда.

Однако, согласно сообщению PhysicsWorld, ученым из центра Уотсона удалось найти решение данной проблемы. Используя химическое осаждение из паров, ученые смогли создать лист графена на медной пленке, а затем перенесли его на подложку из алмазоподобного углерода, который был расположен на обычной для современной электроники кремниевой пластине.

На этой базе специалисты создали полевой транзистор, который имеет затвор длиной всего 40 нанометров (изображено на рисунке под заголовком). Этот прибор показал довольно неплохую частоту среза при испытании – 155 гигагерц.

Также была проверена способность этого устройства работать в криогенных температурах, которые, как известно, весьма негативно влияют на движение зарядов в полупроводниковых приборах. Оказалось, что этот графеновый транзистор чувствовал себя хорошо до температуры 4,3 Кельвина.

Поделиться с друзьями:

Также интересно:


Рубрика: Новости
Вы можете следить за обсуждением этой записи с помощью RSS 2.0. Вы можете оставить комментарий, или trackback с вашего сайта.
Оставить комментарий