Американцы разрабатывают компьютерную память нового типа

Структура FeTRAM Фото: purdue.edu

Сотрудники Центра нанотехнологий Берка при Университете Пердью (США) придумали технологию, позволяющую изготавливать компьютерную память с произвольным доступом на основе сегнетоэлектрических транзисторов. Об этом пишет онлайн-издание под названием Компьюлента.

В основе новой методики лежит использование кремниевых нанопроводов и так называемых «сегнетоэлектрических полимеров», которые представляют собой материал, изменяющий полярность при приложении электрического поля. Такую структуру разработчики называют «сегнетоэлектрическим транзистором».

Планируется, что микрочипы, изготовленные по технологии FeTRAM, будут потреблять значительно меньшее количество энергии по сравнению с нынешней флэш-памятью. Теоретически, экономия достигает 99%, однако пока нельзя утверждать, удастся ли достичь такого результата на практике.

Еще одна важная особенность технологии FeTRAM заключается в высоком быстродействии, которое потенциально превышает показатели скорости передачи данных статической памяти с произвольным доступом – SRAM. Кроме того, чипы FeTRAM будут независимыми, то есть при отсутствии питания смогут хранить информацию.

Сегодня данная технология находится на стадии раннего развития, и сроки выпуска коммерческих продуктов на ее основе неизвестны. Тем не менее, авторы технологии уже подали патентную заявку на свое изобретение. То есть, рано или поздно мы все же получим компьютеры и портативные гаджеты построены на чипах FeTRAM.

А такая услуга как аренда сервера в москве всегда доступна для заказа на сайте www.di-net.ru. Цены приятно удивят вас.

Поделиться с друзьями:

Также интересно:


Рубрика: Новости
Вы можете следить за обсуждением этой записи с помощью RSS 2.0. Вы можете оставить комментарий, или trackback с вашего сайта.
Оставить комментарий